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L’intégration de cette inductance planaire nécessite plusieurs étapes à suivre : La première étape consiste à traiter le problème du dimensionnement des paramètres géométriques, afin de ressortir avec des résultats qui reflètent des dimensions compatibles avec l’intégration.
Suite à un état de l’art détaillé dans le deuxième chapitre, nous avons axé notre étude sur la modélisation d’une inductance planaire spirale avec un noyau ferromagnétique en permalloy ( 20% de fer et 80% de nickel) et un substrat semi- conducteur en silicium. III.5. EXPRESSIONS ANALYTIQUES D’UNE INDUCTANCE
Elles sont toutes caractérisées par les mêmes paramètres géométriques : les diamètres interne dinet externe dext, le nombre de spires n, la largeur wet l’épaisseur t du conducteur ainsi que l’espacement inter-spires s (Figure III.3). FigureIII.3: Paramètres géométriques d’une inductance spirale planaire.
En effet, lorsqu’une différence de potentiel est appliquée aux bornes de l’inductance, un champ magnétique et trois champs électriques apparaissent comme indiqué dans la figure VI.2. Figure IV.2: Champs créés dans une inductance planaire spirale [Tu-1].
MODELISATION D’UNE INDUCTANCE PLANAIRE SPIRALE IV.2.1 . Inductance planaire sans noyau Le premier modèle électrique d’une inductance planaire avec un substrat en silicium était proposé par Nguyen et Meyer [Ng-1] en 1990.
Figure IV.2: Champs créés dans une inductance planaire spirale [Tu-1]. Le champ magnétique désigné par l’induction B(t) est causé par le courant circulant à travers les pistes de la spirale. Il définit un comportement inductif se traduisant par la circulation des courants parasites dans le substrat et les pistes.
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